- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11524 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H01L 27/11524
Brevets de cette classe: 2168
Historique des publications depuis 10 ans
25
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110
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202
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315
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425
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398
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280
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227
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34
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Sandisk Technologies LLC | 5684 |
428 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
345 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
258 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
196 |
Kioxia Corporation | 9847 |
196 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
103 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
77 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
41 |
eMemory Technology Inc. | 358 |
40 |
Applied Materials, Inc. | 16587 |
31 |
Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
31 |
Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
30 |
Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
24 |
Intel NDTM US LLC | 373 |
24 |
STMicroelectronics (Rousset) SAS | 952 |
22 |
Intel Corporation | 45621 |
17 |
Lam Research Corporation | 4775 |
15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
12 |
Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
12 |
Toshiba Memory Corporation | 255 |
12 |
Autres propriétaires | 254 |